深圳福彩

深圳福彩

集成電路產業

        紫光深圳福彩響應國家“十二五戰略性新興產業發展規劃”和“自主創新,安全可控”的集成電路發展戰略,立志打造中國集成電路產業航母。2013年12月,紫光深圳福彩以國際化合作為手段,收購在美國納斯達克上市的國內排名第一、世界排名第三位的通信基帶芯片設計企業展訊通信公司,進而在2014年7月完成對同為納斯達克上市公司,國內排名第二的通信芯片設計企業銳迪科微電子公司的并購。2016年,紫光控股上海宏茂微電子公司,布局集成電路封裝測試領域。同時,2016年紫光控股武漢長江存儲有限公司,并在成都、南京陸續簽約落地總投資額近1000億美元的存儲芯片與存儲器制造工廠。紫光深圳福彩以人才、技術、資本、資源的有效整合為途徑,依托國家戰略支撐和清華大學的獨特優勢,形成紫光集成電路產業鏈,培育全球集成電路和移動互聯領域的巨頭企業。

        紫光深圳福彩的目標,是要打造一個中國高科技領域的世界級企業深圳福彩。重金投研發,全球攬人才,未來五年,紫光深圳福彩將實現“營業收入達到1000億美元,手機芯片市場份額成為世界第一,進入世界半導體公司前三名”的目標。

深圳福彩  

核心企業

        (1)紫光展銳

        紫光深圳福彩于2013年收購展訊通信,2014年收購銳迪科,并于2016年將兩者整合為紫光展銳。目前紫光展銳擁有5000多名員工,其中90%以上是研發人員,并在全球設有16個技術研發中心及7個客戶支持中心。

        整合后的紫光展銳致力于移動通信和物聯網領域的2G/3G/4G移動通信基帶芯片、射頻芯片、物聯網芯片、電視芯片、圖像傳感器芯片等核心技術的自主研發,產品覆蓋手機、平板、物聯網、智能可穿戴、導航定位、攝影成像、數字電視等領域的海量終端市場,可為全球客戶提供一站式的交鑰匙解決方案。紫光展銳根植中國,面向全球市場,已于包括三星、HTC、華為、聯想、TCL等1300多家國內外一線品牌公司和方案設計廠商建立了良好的合作關系,2015年紫光展銳芯片出貨量達7億套片,手機基帶芯片市場份額穩居世界第三,并躋身全球前十的IC設計企業。

        在不斷技術創新的同時,紫光展銳充分發揮資本的創新驅動力,進一步加強企業的持續創新能力,向打造世界級芯片企業邁進。2014年紫光展銳與國際芯片巨頭英特爾達成戰略聯盟,共同開展基于英特爾架構移動設備的產品開發和應用。合作的初步成果-首批基于英特爾x86架構的系統芯片產品將于2016年推出上市。2015年國家集成電路產業投資基金與紫光深圳福彩達成了百億元人民幣的戰略投資,用于提升集成電路業務的核心競爭力。2016年紫光展銳獲得了ARM V8架構手機處理器授權,將致力研發國產自主可控架構的CPU。

        清華控股有限公司是紫光深圳福彩的絕對控股股東,清華控股有限公司是清華大學出資設立的國有獨資有限責任公司。展訊于2013年12月23日被紫光深圳福彩收購。銳迪科于2014年7月18日被紫光深圳福彩收購。


展訊網址:http://www.spreadtrum.com.cn/cn/
          RDA網址:http://www.rdamicro.com/

        

 

        (2)紫光國芯微電子股份有限公司

        紫光國芯微電子股份有限公司前身是成立于2001年的晶源電子,是國內壓電晶體元器件領域的領軍企業,深圳證券交易所中小板上市公司,股票代碼為002049。在清華控股有限公司的統一部署下,紫光深圳福彩成為公司控股股東,公司成為紫光深圳福彩旗下從“芯”到“云”戰略的重要平臺,更名為“紫光國微”,邁入全新的發展階段。

        紫光國微為國家高新技術企業,下屬子公司北京同方微電子有限公司、深圳市國微電子有限公司和西安紫光國芯半導體有限公司均為國家高新技術企業。公司堅持“智能改變生活,用芯服務社會”的理念,推動智能卡芯片、特種行業集成電路、FPGA和存儲器芯片等核心業務的發展,結合公司技術優勢,提供差別化的產品支持與服務。

        未來,紫光國微將緊緊圍繞“打造行業領先”的目標,充分利用半導體產業振興的有利時機,借助控股股東紫光深圳福彩在融資和并購領域的豐富經驗,堅持“自主研發與投資并購”相結合,在做大做強傳統業務的同時,積極布局封裝測試和存儲器兩個新業務領域,內生與外延并重,致力成為芯片設計行業各自領域的龍頭。

網址:http://www.gosinoic.com/

 

        (3)武漢長江存儲有限公司

        2016年12月30日,由紫光深圳福彩聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設的國家存儲器基地項目,在武漢東湖高新區正式動工建設。該項目總投資240億美元,主要生產存儲器芯片,總占地面積1968畝。

        國家存儲器基地正式動工建設不僅僅是一個項目的開工,更具有特別的意義,一是存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破,相當于中國科技領域的遼寧號航空母艦出海試航。二是存儲器基地項目的運作,是一種新模式的成功探索,這種新模式就是“國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作”的三合一。三是存儲器基地項目投資強度大,是中國集成電路行業單體投資最大的項目,也是湖北省最大的投資項目,也是中國最大的單體投資項目。

        此次正式開工建設的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區的武漢未來科技城,將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建筑。其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產, 2020年完成整個項目,總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。

        集成電路是信息技術產業的核心,是支撐社會經濟發展和保障國家信息安全、產業安全的戰略性、基礎性和先導性產業,是世界各國和地區綜合競爭力的集中體現。存儲器最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝,據統計,存儲芯片在整個芯片市場占比超過25%,未來將達到45%左右。

        位于武漢的國家存儲器基地項目將以芯片制造環節為突破口,集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體。項目建成后,以此為龍頭將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展,將為中國打破主流存儲器領域空白,實現產業和經濟跨越發展提供重要支撐。

 

?